從晶閘管的內部分析工作過程：晶閘管是四層三端器件，它有J1、J2、J3三個PN結，可以把它中間的NP分成兩部分，構成一個PNP型三極管和一個NPN型三極管的復合管.當晶閘管承受正向陽極電壓時，為使晶閘管導通，必須使承受反向電壓的PN結J2失去阻擋作用。中每個晶體管的集電極電流同時就是另一個晶體管的基極電流。因此，兩個互相復合的晶體管電路，當有足夠的門極電流Ig流入時，就會形成強烈的正反饋，造成兩晶體管飽和導通，晶體管飽和導通。在U2的每個正半周，從零值開始到觸發脈沖到來瞬間所經歷的電角度稱為控制角α；松江區進口晶閘管銷售廠家

這種器件在電路中能夠實現交流電的無觸點控制，以小電流控制大電流，具有無火花、動作快、壽命長、可靠性高以及簡化電路結構等優點。從外表上看，雙向可控硅和普通可控硅很相似，也有三個電極。但是，它除了其中一個電極G仍叫做控制極外，另外兩個電極通常卻不再叫做陽極和陰極，而統稱為主電極Tl和T2。它的符號也和普通可控硅不同，是把兩個可控硅反接在一起畫成的，如圖2所示。它的型號，在我國一般用“3CTS”或“KS”表示；國外的資料也有用“TRIAC”來表示的。雙向可控硅的規格、型號、外形以及電極引腳排列依生產廠家不同而有所不同，但其電極引腳多數是按T1、T2、G的顧序從左至右排列(觀察時，電極引腳向下，面對標有字符的一面)。市場上最常見的幾種塑封外形結構雙向可控硅的外形及電極引腳排列如下圖1所示。松江區進口晶閘管銷售廠家可控硅承受的正向電壓峰值，不能超過手冊給出的這個參數值。

1：小功率塑封雙向可控硅通常用作聲光控燈光系統。額定電流：IA小于2A。2：大；**率塑封和鐵封可控硅通常用作功率型可控調壓電路。像可調壓輸出直流電源等等。3：大功率高頻可控硅通常用作工業中；高頻熔煉爐等。可控硅從外形上分主要有螺旋式、平板式和平底式三種，螺旋式的應用較多。可控硅有三個電極---陽極（A）陰極（C）和控制極（G）。它有管芯是P型導體和N型導體交迭組成的四層結構，共有三個PN結。可控硅和只有一個PN結的硅整流二極度管在結構上迥然不同。可控硅的四層結構和控制極的引用，為其發揮“以小控大”的優異控制特性奠定了基礎。在應用可控硅時，只要在控制極加上很小的電流或電壓，就能控制很大的陽極電流或電壓。電流容量達幾百安培以至上千安培的可控硅元件。一般把5安培以下的可控硅叫小功率可控硅，50安培以上的可控硅叫大功率可控硅。

將兩只單向可控硅SCRl、SCR2反向并聯．再將控制板與本觸發電路連接，就組成了一個簡單實用的大功率無級調速電路。這個電路的獨特之處在于可控硅控制極不需外加電源，只要將負載與本電路串聯后接通電源，兩個控制極與各自的陰極之間便有5V~8V脈動直流電壓產生，調節電位器R2即可改變兩只可控硅的導通角，增大R2的阻值到一定程度,便可使兩個主可控硅阻斷，因此R2還可起開關的作用。該電路的另一個特點是兩只主可控硅交替導通，一個的正向壓降就是另一個的反向壓降，因此不存在反向擊穿問題。但當外加電壓瞬時超過阻斷電壓時，SCR1、SCR2會誤導通，導通程度由電位器R2決定。SCR3與周圍元件構成普通移相觸發電路，其原理這里從略。在電工技術中，常把交流電的半個周期定為180°，稱為電角度。

常用的有阻容移相橋觸發電路、單結晶體管觸發電路、晶體三極管觸發電路、利用小晶閘管觸發大晶閘管的觸發電路，等等。可控硅的主要參數有：1、 額定通態平均電流IT 在一定條件下，陽極---陰極間可以連續通過的50赫茲正弦半波電流的平均值。2、 正向阻斷峰值電壓VPF 在控制極開路未加觸發信號，陽極正向電壓還未超過導能電壓時，可以重復加在可控硅兩端的正向峰值電壓。可控硅承受的正向電壓峰值，不能超過手冊給出的這個參數值3、 反向阻斷峰值電壓VPR 當可控硅加反向電壓，處于反向關斷狀態時，可以重復加在可控硅兩端的反向峰值電壓。使用時，不能超過手冊給出的這個參數值。4、 觸發電壓VGT 在規定的環境溫度。Ug到來得早，晶閘管導通的時間就早；嘉定區進口晶閘管費用

它具有體積小、效率高、壽命長等優點。松江區進口晶閘管銷售廠家

電壓測方法可控硅為什么其有“以小控大”的可控性呢？下面我們用圖表-27來簡單分析可控硅的工作原理。首先，可以把從陰極向上數的***、二、三層看面是一只NPN型號晶體管，而二、三四層組成另一只PNP型晶體管。其中第二、第三層為兩管交迭共用。當在陽極和陰極之間加上一個正向電壓Ea，又在控制極G和陰極C之間（相當BG1的基一射間）輸入一個正的觸發信號，BG1將產生基極電流Ib1，經放大，BG1將有一個放大了β1倍的集電極電流IC1。因為BG1集電極與BG2基極相連，IC1又是BG2的基極電流Ib2。BG2又把比Ib2（Ib1）放大了β2的集電極電流IC2送回BG1的基極放大。如此循環放大，直到BG1、BG2完全導通。松江區進口晶閘管銷售廠家

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