一般硅管的反向電流比鍺管小得多，小功率硅管的反向飽和電流在nA數量級，小功率鍺管在μA數量級。溫度升高時，半導體受熱激發，少數載流子數目增加，反向飽和電流也隨之增加。 [4]擊穿特性外加反向電壓超過某一數值時，反向電流會突然增大，這種現象稱為電擊穿。引起電擊穿的臨界電壓稱為二極管反向擊穿電壓。電擊穿時二極管失去單向導電性。如果二極管沒有因電擊穿而引起過熱，則單向導電性不一定會被長久破壞，在撤除外加電壓后，其性能仍可恢復，否則二極管就損壞了。因而使用時應避免二極管外加的反向電壓過高。 [5]發光二極管是一種將電能直接轉換成光能的半導體固體顯示器件，簡稱LED(Light Emitting Diode)。青浦區如何二極管銷售價格

因此，在本征半導體的兩個不同區域摻入三價和五價雜質元素，便形成了P型區和N型區，根據N型半導體和P型半導體的特性，可知在它們的交界處就出現了電子和空穴的濃度差異，電子和空穴都要從濃度高的區域向濃度低的區域擴散，它們的擴散使原來交界處的電中性被破壞。 [6]PN結單向導電性在PN結外加正向電壓V，在這個外加電場的作用下，PN結的平衡狀態被打破，P區中的空穴和N區的電子都往PN結方向移動，空穴和PN結P區的負離子中和，電子和PN結N區的正離子中和，這樣就使PN結變窄。隨著外加電場的增加，擴散運動進一步增強，漂移運動減弱。當外加電壓超過門檻電壓，PN結相當于一個阻值很小的電阻，也就是PN結導通。 [6]黃浦區如何二極管費用光電二極管作為光控元件可用于各種物體檢測、光電控制、自動報警等方面。

2023年5月，新加坡—麻省理工學院研究與技術聯盟的科學家開發了世界上**小的LED（發光二極管）。2024年2月5日，中國科學院寧波材料技術與工程研究所團隊深挖機理、創新工藝，制備出一款高效穩定的鈣鈦礦發光二極管，相關論文發于國際學術期刊《自然·光子學》。 [12]發光二極管與普通二極管一樣是由一個PN結組成，也具有單向導電性。當給發光二極管加上正向電壓后，從P區注入到N區的空穴和由N區注入到P區的電子，在PN結附近數微米內分別與N區的電子和P區的空穴復合，產生自發輻射的熒光。不同的半導體材料中電子和空穴所處的能量狀態不同。當電子和空穴復合時釋放出的能量多少不同，釋放出的能量越多，則發出的光的波長越短。常用的是發紅光、綠光或黃光的二極管。發光二極管的反向擊穿電壓大于5伏。它的正向伏安特性曲線很陡，使用時必須串聯限流電阻以控制通過二極管的電流。

反向電流反向電流是指二極管在常溫（25℃）和比較高反向電壓作用***過二極管的反向電流。反向電流越小，管子的單方向導電性能越好。值得注意的是反向電流與溫度有著密切的關系，大約溫度每升高10℃，反向電流增大一倍。例如2AP1型鍺二極管，在25℃時反向電流若為250μA，溫度升高到35℃，反向電流將上升到500μA，依此類推，在75℃時，它的反向電流已達8mA，不僅失去了單方向導電特性，還會使管子過熱而損壞。又如，2CP10型硅二極管，25℃時反向電流*為5μA，溫度升高到75℃時，反向電流也不過160μA。故硅二極管比鍺二極管在高溫下具有較好的穩定性。 [4]在電子技術中常用的數碼管，發光二極管的原理與光電二極管相反。

面接觸型二極管的“PN結”面積較大，允許通過較大的電流（幾安到幾十安），主要用于把交流電變換成直流電的“整流”電路中。面接觸型晶體二極管比較適用于大電流開關。平面型二極管是一種特制的硅二極管，它不僅能通過較大的電流，而且性能穩定可靠，多用于開關、脈沖及低頻電路中。1、整流二極管利用二極管單向導電性，可以把方向交替變化的交流電變換成單一方向的脈動直流電。2、開關元件二極管在正向電壓作用下電阻很小，處于導通狀態，相當于一只接通的開關；在反向電壓作用下，電阻很大，處于截止狀態，如同一只斷開的開關。利用二極管的開關特性，可以組成各種邏輯電路。由P區引出的電極稱為陽極，N區引出的電極稱為陰極。靜安區進口二極管銷售廠家

因為PN結的單向導電性，二極管導通時電流方向是由陽極通過管子內部流向陰極。青浦區如何二極管銷售價格

日本工業技術院電子技術綜合研究所采用掃描隧道顯微鏡(STM)成功地制作了線寬為18nm的平面型二極管。日本計劃在2010年開發出64吉比特的動態隨機存取存儲器，而這種二極管的開發為其提供了可能性。采用STM以逐個控制電子、分子，制作***元件的研究工作很活躍，但在事實上制成電子元件，這次還是世界首例，這一成果開拓了實現量子化功能元件的道路，因而引起人們的注目。該元件的要點是STM作為捕獲原子的攝子，并作為使其產生化學反應的電極。 [1]青浦區如何二極管銷售價格

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