布局整體思路（1）整板器件布局整齊、緊湊;滿足“信號(hào)流向順暢，布線短”的原則；（2）不同類型的電路模塊分開(kāi)擺放，相對(duì)、互不干擾；（3）相同模塊采用復(fù)制的方式相同布局；（4）預(yù)留器件扇出、通流能力、走線通道所需空間；（5）器件間距滿足《PCBLayout工藝參數(shù)》的參數(shù)要求；（6）當(dāng)密集擺放時(shí)，小距離需大于《PCBLayout工藝參數(shù)》中的小器件間距要求；當(dāng)與客戶的要求時(shí)，以客戶為準(zhǔn)，并記錄到《項(xiàng)目設(shè)計(jì)溝通記錄》。（7）器件擺放完成后，逐條核實(shí)《PCBLayout業(yè)務(wù)資料及要求》中的布局要求，以確保布局滿足客戶要求。關(guān)鍵信號(hào)的布線應(yīng)該遵循哪些基本原則？高速PCB設(shè)計(jì)銷售

DDR的PCB布局、布線要求1、DDR數(shù)據(jù)信號(hào)線的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)，在布局時(shí)保證緊湊的布局，即控制器與DDR芯片緊湊布局，需要注意DDR數(shù)據(jù)信號(hào)是雙向的，串聯(lián)端接電阻放在中間可以同時(shí)兼顧數(shù)據(jù)讀/寫時(shí)良好的信號(hào)完整性。2、對(duì)于DDR信號(hào)數(shù)據(jù)信號(hào)DQ是參考選通信號(hào)DQS的，數(shù)據(jù)信號(hào)與選通信號(hào)是分組的；如8位數(shù)據(jù)DQ信號(hào)+1位數(shù)據(jù)掩碼DM信號(hào)+1位數(shù)據(jù)選通DQS信號(hào)組成一組，如是32位數(shù)據(jù)信號(hào)將分成4組，如是64位數(shù)據(jù)信號(hào)將分成8組，每組里面的所有信號(hào)在布局布線時(shí)要保持拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)的一致性和長(zhǎng)度上匹配，這樣才能保證良好的信號(hào)完整性和時(shí)序匹配關(guān)系，要保證過(guò)孔數(shù)目相同。數(shù)據(jù)線同組（DQS、DM、DQ[7:0]）組內(nèi)等長(zhǎng)為20Mil，不同組的等長(zhǎng)范圍為200Mil，時(shí)鐘線和數(shù)據(jù)線的等長(zhǎng)范圍≤1000Mil。3、對(duì)于DDR信號(hào)，需要注意串?dāng)_的影響，布線時(shí)拉開(kāi)與同層相鄰信號(hào)的間距，時(shí)鐘線與其它線的間距要保證3W線寬，數(shù)據(jù)線與地址線和控制線的間距要保證3W線寬，數(shù)據(jù)線內(nèi)或地址線和控制線內(nèi)保證2W線寬；如果兩個(gè)信號(hào)層相鄰，要使相鄰兩層的信號(hào)走線正交。高速PCB設(shè)計(jì)銷售PCB設(shè)計(jì)中存儲(chǔ)器有哪些分類？

DDRII新增特性，ODT（ On Die Termination）,DDR匹配放在PCB電路板上，而DDRII則把匹配直接設(shè)計(jì)到DRAM芯片內(nèi)部，用來(lái)改善信號(hào)品質(zhì)，這使得DDRII的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)較DDR簡(jiǎn)單，布局布線也相對(duì)較容易一些。說(shuō)明：ODT（On-Die Termination）即芯片內(nèi)部匹配終結(jié)，可以節(jié)省PCB面積，另一方面因?yàn)閿?shù)據(jù)線的串聯(lián)電阻位置很難兼顧讀寫兩個(gè)方向的要求。而在DDR2芯片提供一個(gè)ODT引腳來(lái)控制芯片內(nèi)部終結(jié)電阻的開(kāi)關(guān)狀態(tài)。寫操作時(shí)，DDR2作為接收端，ODT引腳為高電平打開(kāi)芯片內(nèi)部的終結(jié)電阻，讀操作時(shí)，DDR2作為發(fā)送端，ODT引腳為低電平關(guān)閉芯片內(nèi)部的終結(jié)電阻。ODT允許配置的阻值包括關(guān)閉、75Ω、150Ω、50Ω四種模式。ODT功能只針對(duì)DQ\DM\DQS等信號(hào)，而地址和控制仍然需要外部端接電阻。

整板扇出（1）對(duì)板上已處理的表層線和過(guò)孔按照規(guī)則進(jìn)行相應(yīng)的調(diào)整。（2）格點(diǎn)優(yōu)先選用25Mil的，其次采用5Mil格點(diǎn)，過(guò)孔扇出在格點(diǎn)上，相同器件過(guò)孔走線采用復(fù)制方式，保證過(guò)孔上下左右對(duì)齊、常見(jiàn)分立器件的扇出形式（3）8MIL過(guò)孔中心間距35MIL以上，10MIL過(guò)孔中心間距40MIL以上，以免將平面層隔斷；差分過(guò)孔間距一般為30Mil（或過(guò)孔邊緣距為8Mil）。（4）芯片電源管腳先過(guò)電容再打過(guò)孔（5）所有電源/地管腳就近打孔，高速差分過(guò)孔附近30-50Mil內(nèi)加回流地孔，模塊內(nèi)通過(guò)表層線直連，無(wú)法連接的打過(guò)孔處理。（6）電源輸出過(guò)孔打在輸出濾波電容之后，電源輸入過(guò)孔扇出在輸入濾波電容之前，過(guò)孔數(shù)目滿足電源載流要求，過(guò)孔通流能力參照，地孔數(shù)不少于電源過(guò)孔數(shù)。什么是模擬電源和數(shù)字電源？

存儲(chǔ)模塊介紹：存儲(chǔ)器分類在我們的設(shè)計(jì)用到的存儲(chǔ)器有SRAM、DRAM、EEPROM、Flash等，其中DDR系列用的是多的，其DDR-DDR4的詳細(xì)參數(shù)如下：DDR采用TSSOP封裝技術(shù)，而DDR2和DDR3內(nèi)存均采用FBGA封裝技術(shù)。TSSOP封裝的外形尺寸較大，呈長(zhǎng)方形，其優(yōu)點(diǎn)是成本低、工藝要求不高，缺點(diǎn)是傳導(dǎo)效果差，容易受干擾，散熱不理想，而FBGA內(nèi)存顆粒精致小巧，體積大約只有DDR內(nèi)存顆粒的三分之一，有效地縮短信號(hào)傳輸距離，在抗干擾、散熱等方面更有優(yōu)勢(shì)，而DDR4采用3DS(3-DimensionalStack)三維堆疊技術(shù)來(lái)增大單顆芯片容量，封裝外形則與DDR2、DDR3差別不大。制造工藝不斷提高，從DDR到DDR2再到DDR3內(nèi)存，其制造工藝都在不斷改善，更高工藝水平會(huì)使內(nèi)存電氣性能更好，成本更低；DDR內(nèi)存顆粒大范圍采用0.13微米制造工藝，而DDR2采用了0.09微米制造工藝，DDR3則采用了全新65nm制造工藝，而DDR4使用20nm以下的工藝來(lái)制造，從DDR～DDR4的具體參數(shù)如下表所示。時(shí)鐘驅(qū)動(dòng)器的布局布線要求。荊門什么是PCB設(shè)計(jì)報(bào)價(jià)

整板布線的工藝技巧和規(guī)則。高速PCB設(shè)計(jì)銷售

布線，PCBLAYOUT在此階段的所有布線必須符合《PCBLayout業(yè)務(wù)資料及要求》、《PCBLayout工藝參數(shù)》、《PCB加工工藝要求說(shuō)明書》對(duì)整板布線約束的要求。同時(shí)也應(yīng)該符合客戶對(duì)過(guò)孔工藝、小線寬線距等的特殊要求，無(wú)法滿足時(shí)需和客戶客戶溝通并記錄到《設(shè)計(jì)中心溝通記錄》郵件通知客戶確認(rèn)。布線的流程步驟如下：關(guān)鍵信號(hào)布線→整板布線→ICT測(cè)試點(diǎn)添加→電源、地處理→等長(zhǎng)線處理→布線優(yōu)化，關(guān)鍵信號(hào)布線關(guān)鍵信號(hào)布線的順序：射頻信號(hào)→中頻、低頻信號(hào)→時(shí)鐘信號(hào)→高速信號(hào)。關(guān)鍵信號(hào)的布線應(yīng)該遵循如下基本原則：★優(yōu)先選擇參考平面是地平面的信號(hào)層走線。★依照布局情況短布線。★走線間距單端線必須滿足3W以上，差分線對(duì)間距必須滿足20Mil以上高速PCB設(shè)計(jì)銷售

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