MEMS制作工藝-太赫茲超導混頻陣列的MEMS體硅集成天線與封裝技術：
太赫茲波是天文探測領域的重要波段，太赫茲波探測對提升人類認知宇宙的能力有重要意義。太赫茲超導混頻接收機是具有代表性的高靈敏天文探測設備。天線及混頻芯片封裝是太赫茲接收前端系統的關鍵組件。當前，太赫茲超導接收機多采用單獨的金屬喇叭天線和金屬封裝，很難進行高集成度陣列擴展。大規模太赫茲陣列接收機發展很大程度受到天線及芯片封裝技術的制約。課題擬研究基于MEMS體硅工藝技術的適合大規模太赫茲超導接收陣列應用的0.4THz以上頻段高性能集成波紋喇叭天線，及該天線與超導混頻芯片一體化封裝。通過電磁場理論分析、電磁場數值建模與仿真、低溫超導實驗驗證等手段， MEMS微納米加工市場調研。江西MEMS微納米加工之柔性電極定制
MEMS四種刻蝕工藝的不同需求：
高深寬比：硅蝕刻工藝通常需要處理高深寬比的問題，如應用在回轉儀(gyroscopes)及硬盤機的讀取頭等微機電組件即為此例。另外，此高深寬比的特性也是發展下一代晶圓級的高密度構造連接上的解決方案。考慮到有關高深寬比的主要問題，是等離子進出蝕刻反應區的狀況：包括蝕刻劑進入蝕刻接口的困難程度(可借助離子擊穿高分子蔽覆層實現)，以及反應副產品受制于孔洞中無法脫離。在一般的等離子壓力條件下，離子的準直性(loncollimation)運動本身就會將高深寬比限制在約50:1。另外，隨著具線寬深度特征離子的大量轉移，這些細微變化可能會改變蝕刻過程中的輪廓。一般說來，隨著蝕刻深度加深，蝕刻劑成分會減少。導致過多的高分子聚合反應，和蝕刻出漸窄的線寬。針對上述問題，設備制造商已發展出隨著蝕刻深度加深，在工藝條件下逐漸加強的硬件及工藝，這樣即可補償蝕刻劑在大量離子遷徙的變化所造成的影響。 湖南MEMS微納米加工平臺MEMS聲表面波（即SAW）器件是什么？
MEMS四種刻蝕工藝的不同需求：
3.絕緣層上的硅蝕刻即SOI器件刻蝕：先進的微機電組件包含精細的可移動性零組件，例如應用于加速計、陀螺儀、偏斜透鏡(tilting mirrors).共振器(resonators)、閥門、泵、及渦輪葉片等組件的懸臂梁。這些許多的零組件，是以深硅蝕刻方法在晶圓的正面制造，接著藉由橫方向的等向性底部蝕刻的方法從基材脫離，此方法正是典型的表面細微加工技術。而此技術有一項特點是以掩埋的一層材料氧化硅作為針對非等向性蝕刻的蝕刻終止層，達成以等向性蝕刻實現組件與基材間脫離的結構(如懸臂梁)。由于二氧化硅在硅蝕刻工藝中，具有高蝕刻選擇比且在各種尺寸的絕緣層上硅晶材料可輕易生成的特性，通常被采用作為掩埋的蝕刻終止層材料。
MEMS技術的主要分類：光學方面相關的資料與技術。光學隨著信息技術、光通信技術的迅猛發展，MEMS發展的又一領域是與光學相結合，即綜合微電子、微機械、光電子技術等基礎技術，開發新型光器件，稱為微光機電系統(MOEMS)。微光機電系統(MOEMS)能把各種MEMS結構件與微光學器件、光波導器件、半導體激光器件、光電檢測器件等完整地集成在一起。形成一種全新的功能系統。MOEMS具有體積小、成本低、可批量生產、可精確驅動和控制等特點。有哪些較為前沿的MEMS傳感器公司？
MEMS具有以下幾個基本特點，微型化、智能化、多功能、高集成度和適于大批量生產。MEMS技術的目標是通過系統的微型化、集成化來探索具有新原理、新功能的元件和系統。 MEMS技術是一種典型的多學科交叉的前沿性研究領域，幾乎涉及到自然及工程科學的所有領域，如電子技術、機械技術、物理學、化學、生物醫學、材料科學、能源科學等。MEMS是一個單獨的智能系統，可大批量生產，其系統尺寸在幾毫米乃至更小，其內部結構一般在微米甚至納米量級。例如，常見的MEMS產品尺寸一般都在3mm×3mm×1.5mm，甚至更小。微機電系統在國民經濟和更高級別的系統方面將有著廣泛的應用前景。主要民用領域是電子、醫學、工業、汽車和航空航天系統。MEMS常見的產品-聲學傳感器。江西MEMS微納米加工之超透鏡定制
MEMS的磁敏感器是什么？江西MEMS微納米加工之柔性電極定制
MEMS研究內容一般可以歸納為以下三個基本方面： 1．理論基礎： 在當前MEMS所能達到的尺度下，宏觀世界基本的物理規律仍然起作用，但由于尺寸縮小帶來的影響（Scaling Effects），許多物理現象與宏觀世界有很大區別，因此許多原來的理論基礎都會發生變化，如力的尺寸效應、微結構的表面效應、微觀摩擦機理等，因此有必要對微動力學、微流體力學、微熱力學、微摩擦學、微光學和微結構學進行深入的研究。這一方面的研究雖然受到重視，但難度較大，往往需要多學科的學者進行基礎研究。2. 技術基礎研究：主要包括微機械設計、微機械材料、微細加工、微裝配與封裝、集成技術、微測量等技術基礎研究。3. 微機械在各學科領域的應用研究。江西MEMS微納米加工之柔性電極定制
