基于三星5nm工藝的高通驍龍X60基帶已發(fā)布，臺積電下半年也將基于5nm(N5)為蘋果代工A14、華為代工麒麟1020等芯片。

　　顯然，這對于仍在打磨14nm并在10nm供貨能力掙扎的Intel來說，似乎并不利。

　　不過，Intel早在2017年就撰文抨擊行業(yè)內(nèi)關(guān)于流程節(jié)點(diǎn)命名的混亂，時任工藝架構(gòu)和集成總監(jiān)的Mark Bohr呼吁晶圓廠們建立套統(tǒng)一的規(guī)則來命名先進(jìn)制程，比如晶體管密度。而且以這個標(biāo)準(zhǔn)來看的話，Intel的10nm甚至比競品的7nm還要優(yōu)秀。

　　此后，坊間的挺I派喊出三星、臺積電是“假7nm”的口號。

　　對此，臺積電營銷負(fù)責(zé)人Godfrey Cheng做客AMD webinar活動時回應(yīng)，從0.35微米（350nm）開始，所謂的工藝數(shù)字就不再真正代表物理尺度了。他解釋，7nm/N7是一種行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)化術(shù)語而已，之后還有N5等等。

　　他同樣認(rèn)為“需要尋求一種全新的、對工藝節(jié)點(diǎn)不同的描述化語言。”

　　按照Intel的建議，以邏輯晶體管密度(MTr/mm2，每平方毫米的百萬晶體管數(shù))來作為定義工藝節(jié)點(diǎn)的指標(biāo)，將掃描觸發(fā)器和NAND2密度考慮進(jìn)去，同時報告SRAM單元規(guī)模。

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