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企業商機
光刻機基本參數
  • 品牌
  • POLOS
  • 型號
  • BEAM
  • 類型
  • 激光蝕刻機
光刻機企業商機

Polos系列通過無掩模技術減少化學廢料產生,同時低能耗設計(如固態激光光源)符合綠色實驗室標準。例如,其光源系統較傳統DUV光刻機能耗降低30%,助力科研機構實現碳中和目標。無掩模激光光刻 (MLL) 是一種微加工技術,用于在基板上以高精度和高分辨率創建復雜圖案。一個新加坡研究團隊通過無縫集成硬件和軟件組件,開發出一款緊湊且經濟高效的 MLL 系統。通過與計算機輔助設計軟件無縫集成,操作員可以輕松輸入任意圖案進行曝光。該系統占用空間小,非常適合研究實驗室,并broad應用于微流體、電子學和納/微機械系統等各個領域。該系統的經濟高效性使其優勢擴展到大學研究實驗室以外的領域,為半導體和醫療公司提供了利用其功能的機會。材料科學:超疏水表面納米圖案化,接觸角 165°,防腐蝕性能增強 10 倍。江蘇BEAM-XL光刻機讓你隨意進行納米圖案化

江蘇BEAM-XL光刻機讓你隨意進行納米圖案化,光刻機

柔性電子是未來可穿戴設備的core方向,其電路圖案需適應曲面基底。Polos 光刻機的無掩模技術在聚酰亞胺柔性基板上實現了 2μm 線寬的precise曝光,解決了傳統掩模對準偏差問題。某柔性電子研究中心利用該設備,開發出可貼合皮膚的健康監測貼片,其傳感器陣列的信號噪聲比提升 60%。相比光刻膠掩模工藝,Polos 光刻機將打樣時間從 72 小時壓縮至 8 小時,加速了柔性電路的迭代優化,推動柔性電子從實驗室走向產業化落地。無掩模激光光刻 (MLL) 是一種微加工技術,用于在基板上以高精度和高分辨率創建復雜圖案。一個新加坡研究團隊通過無縫集成硬件和軟件組件,開發出一款緊湊且經濟高效的 MLL 系統。通過與計算機輔助設計軟件無縫集成,操作員可以輕松輸入任意圖案進行曝光。該系統占用空間小,非常適合研究實驗室,并broad應用于微流體、電子學和納/微機械系統等各個領域。該系統的經濟高效性使其優勢擴展到大學研究實驗室以外的領域,為半導體和醫療公司提供了利用其功能的機會。江蘇BEAM-XL光刻機讓你隨意進行納米圖案化客戶認可:全球 500 + 客戶滿意度達 98%,復購率 75%,技術支持響應時間 < 2 小時。

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超表面通過納米結構調控光場,傳統電子束光刻成本高昂且效率低下。Polos 光刻機的激光直寫技術在石英基底上實現了亞波長量級的圖案曝光,將超表面器件制備成本降低至傳統方法的 1/5。某光子學實驗室利用該設備,研制出寬帶消色差超表面透鏡,在 400-1000nm 波長范圍內成像誤差小于 5μm。其靈活的圖案編輯功能還支持實時優化結構參數,使器件研發周期從數周縮短至 24 小時,推動超表面技術從理論走向集成光學應用。無掩模激光光刻 (MLL) 是一種微加工技術,用于在基板上以高精度和高分辨率創建復雜圖案。一個新加坡研究團隊通過無縫集成硬件和軟件組件,開發出一款緊湊且經濟高效的 MLL 系統。通過與計算機輔助設計軟件無縫集成,操作員可以輕松輸入任意圖案進行曝光。該系統占用空間小,非常適合研究實驗室,并broad應用于微流體、電子學和納/微機械系統等各個領域。該系統的經濟高效性使其優勢擴展到大學研究實驗室以外的領域,為半導體和醫療公司提供了利用其功能的機會。

某集成電路實驗室利用 Polos 光刻機開發了基于相變材料的存算一體芯片。其激光直寫技術在二氧化硅基底上實現了 100nm 間距的電極陣列,器件的讀寫速度達 10ns,較傳統 SRAM 提升 100 倍。通過在電極間集成 20nm 厚的 Ge2Sb2Te5 相變材料,芯片實現了計算與存儲的原位融合,能效比達 1TOPS/W,較傳統馮?諾依曼架構提升 1000 倍。該技術被用于邊緣計算設備,使圖像識別延遲從 50ms 縮短至 5ms,相關芯片已進入小批量試產階段。無掩模激光光刻 (MLL) 是一種微加工技術,用于在基板上以高精度和高分辨率創建復雜圖案。一個新加坡研究團隊通過無縫集成硬件和軟件組件,開發出一款緊湊且經濟高效的 MLL 系統。通過與計算機輔助設計軟件無縫集成,操作員可以輕松輸入任意圖案進行曝光。該系統占用空間小,非常適合研究實驗室,并broad應用于微流體、電子學和納/微機械系統等各個領域。該系統的經濟高效性使其優勢擴展到大學研究實驗室以外的領域,為半導體和醫療公司提供了利用其功能的機會??臻g友好設計:占地面積小于 1.2㎡,小型實驗室也能部署高精度光刻系統。

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Polos光刻機在微機械加工中表現outstanding。其亞微米分辨率可制造80 μm直徑的開環諧振器和2 μm叉指電極,適用于傳感器與執行器開發。結合雙光子聚合技術(如Nanoscribe系統),用戶還能擴展至3D微納結構打印,為微型機器人及光學元件提供多尺度制造方案。無掩模光刻技術可以隨意進行納米級圖案化,無需使用速度慢且昂貴的光罩。這種便利對于科研和快速原型制作非常有用。POL0S@ Beam XL在性能上沒有任何妥協的情況下,將該技術帶到了桌面上,進一步提升了其優勢。柔性電子:曲面 OLED 驅動電路漏電降 70%,彎曲半徑達 1mm,適配可穿戴設備。安徽PSP光刻機不需要緩慢且昂貴的光掩模

緊湊桌面設計:Polos-BESM系統only占桌面空間,適合實驗室高效原型開發。江蘇BEAM-XL光刻機讓你隨意進行納米圖案化

某分析化學實驗室采用 Polos 光刻機開發了集成電化學傳感器的微流控芯片。其多材料同步曝光技術在 PDMS 通道底部直接制備出 10μm 寬的金電極,傳感器的檢測限達 1nM,較傳統電化學工作站提升 100 倍。通過軟件輸入不同圖案,可在 24 小時內完成從葡萄糖檢測到重金屬離子分析的模塊切換。該芯片被用于即時檢測(POCT)設備,使現場水質監測時間從 2 小時縮短至 10 分鐘,相關設備已通過歐盟 CE 認證。無掩模激光光刻 (MLL) 是一種微加工技術,用于在基板上以高精度和高分辨率創建復雜圖案。一個新加坡研究團隊通過無縫集成硬件和軟件組件,開發出一款緊湊且經濟高效的 MLL 系統。通過與計算機輔助設計軟件無縫集成,操作員可以輕松輸入任意圖案進行曝光。該系統占用空間小,非常適合研究實驗室,并broad應用于微流體、電子學和納/微機械系統等各個領域。該系統的經濟高效性使其優勢擴展到大學研究實驗室以外的領域,為半導體和醫療公司提供了利用其功能的機會。江蘇BEAM-XL光刻機讓你隨意進行納米圖案化

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陜西POLOSBEAM光刻機讓你隨意進行納米圖案化 2025-07-02

某材料實驗室利用 Polos 光刻機的亞微米級圖案化能力,在鋁合金表面制備出仿荷葉結構的超疏水涂層。其激光直寫技術在 20μm 間距的微柱陣列上疊加 500nm 的納米脊,使材料表面接觸角達 165°,滾動角小于 3°。該涂層在海水環境中浸泡 30 天后,防腐蝕性能較未處理表面提升 10 倍。其靈活的圖案編輯功能還支持在同一樣品上實現超疏水與超親水區域的任意組合,被用于微流控芯片的液滴定向輸運,液滴驅動電壓降低至傳統方法的 1/3。無掩模激光光刻 (MLL) 是一種微加工技術,用于在基板上以高精度和高分辨率創建復雜圖案。一個新加坡研究團隊通過無縫集成硬件和軟件組件,開發出一款緊湊且經濟高效的 ...

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