形狀記憶合金、壓電陶瓷等智能材料的微結構加工需要高精度圖案定位。Polos 光刻機的亞微米級定位精度，幫助科研團隊在鎳鈦合金薄膜上刻制出復雜驅動電路，成功制備出微型可編程抓手。該抓手在 40℃溫場中可實現 0.1mm 行程的precise控制，抓取力達 50mN，較傳統微加工方法性能提升 50%。該技術被應用于微納操作機器人，在單細胞膜片鉗實驗中成功率從 40% 提升至 75%，為細胞級precise操作提供了關鍵工具。無掩模激光光刻 (MLL) 是一種微加工技術，用于在基板上以高精度和高分辨率創建復雜圖案。一個新加坡研究團隊通過無縫集成硬件和軟件組件，開發出一款緊湊且經濟高效的 MLL 系統。通過與計算機輔助設計軟件無縫集成，操作員可以輕松輸入任意圖案進行曝光。該系統占用空間小，非常適合研究實驗室，并broad應用于微流體、電子學和納/微機械系統等各個領域。該系統的經濟高效性使其優勢擴展到大學研究實驗室以外的領域，為半導體和醫療公司提供了利用其功能的機會。微型傳感器量產：80 μm開環諧振器加工能力，推動工業級MEMS傳感器升級。江蘇德國BEAM光刻機基材厚度可達到0.1毫米至8毫米

一所高校的電子工程實驗室專注于新型傳感器的研究。在開發一款超靈敏壓力傳感器時，面臨著如何在微小尺寸上構建高精度電路圖案的難題。德國 Polos 光刻機的引入解決了這一困境。其可輕松輸入任意圖案進行曝光的特性，讓研究人員能夠根據傳感器的特殊需求，設計并制作出獨特的電路結構。通過 Polos 光刻機precise的光刻，成功制造出的壓力傳感器，靈敏度比現有市場產品提高了兩倍以上。該成果已獲得多項patent，并吸引了多家科技企業的關注，有望實現產業化應用，為可穿戴設備、智能機器人等領域帶來新的發展機遇。湖北德國桌面無掩模光刻機分辨率1.5微米微流體領域：支持 1-100μm 微通道定制，助力organ芯片血管網絡precise建模。

單細胞分選需要復雜的流體動力學控制結構，傳統光刻難以實現多尺度結構集成。Polos 光刻機的分層曝光功能，在同一片芯片上制備出 5μm 窄縫的細胞捕獲區與 50μm 寬的廢液通道，通道高度誤差控制在 ±2% 以內。某細胞生物學實驗室利用該芯片，將單細胞分選通量提升至 1000 個 / 秒，分選純度達 98%，較傳統流式細胞儀體積縮小 90%。該技術已應用于循環tumor細胞檢測，使稀有細胞捕獲效率提升 3 倍，相關設備進入臨床驗證階段。無掩模激光光刻 (MLL) 是一種微加工技術，用于在基板上以高精度和高分辨率創建復雜圖案。一個新加坡研究團隊通過無縫集成硬件和軟件組件，開發出一款緊湊且經濟高效的 MLL 系統。通過與計算機輔助設計軟件無縫集成，操作員可以輕松輸入任意圖案進行曝光。該系統占用空間小，非常適合研究實驗室，并broad應用于微流體、電子學和納/微機械系統等各個領域。該系統的經濟高效性使其優勢擴展到大學研究實驗室以外的領域，為半導體和醫療公司提供了利用其功能的機會。

Polos-BESM在電子器件原型開發中展現高效性。例如，其軟件支持GDS文件直接導入，多層曝光疊加功能簡化了射頻器件（如IDC電容器）的制造流程。研究團隊利用同類設備成功制備了高頻電路元件，驗證了其在5G通信和物聯網硬件中的潛力。無掩模光刻技術可以隨意進行納米級圖案化，無需使用速度慢且昂貴的光罩。這種便利對于科研和快速原型制作非常有用。POL0S@ Beam XL在性能上沒有任何妥協的情況下，將該技術帶到了桌面上，進一步提升了其優勢。無掩模光刻技術可以隨意進行納米級圖案化，無需使用速度慢且昂貴的光罩。這種便利對于科研和快速原型制作非常有用。POL0S@ Beam XL在性能上沒有任何妥協的情況下，將該技術帶到了桌面上，進一步提升了其優勢?？焖僮詣訉梗洪]環對焦系統1秒完成，多層半自動對準提升實驗效率。

德國 Polos 光刻機系列以其緊湊的設計，在有限的空間內發揮著巨大作用。對于研究實驗室，尤其是空間資源緊張的高校和初創科研機構來說，設備的空間占用是重要考量因素。Polos 光刻機占用空間小的特點，使其能夠輕松融入各類實驗室環境。? 盡管體積小巧，但它的性能卻毫不遜色。無掩模激光光刻技術保障了高精度的圖案制作，低成本的優勢降低了科研投入門檻。在小型實驗室中，科研人員使用 Polos 光刻機，在微流體、電子學等領域開展研究，成功取得多項成果。從微納結構制造到新型器件研發，Polos 光刻機證明了小空間也能蘊藏大能量，為科研創新提供有力支持。生物界面創新：微納結構可控加工，為組織工程提供新型仿生材料解決方案。黑龍江德國POLOS光刻機讓你隨意進行納米圖案化

環保低能耗設計：固態光源能耗較傳統設備降低30%，符合綠色實驗室標準。江蘇德國BEAM光刻機基材厚度可達到0.1毫米至8毫米

某人工智能芯片公司利用 Polos 光刻機開發了基于阻變存儲器（RRAM）的存算一體架構。其激光直寫技術在 10nm 厚度的 HfO?介質層上實現了 5nm 的電極邊緣控制，器件的電導均勻性提升至 95%，計算能效比達 10TOPS/W，較傳統 GPU 提升兩個數量級?；谠摷夹g的邊緣 AI 芯片，在圖像識別任務中能耗降低 80%，推理速度提升 3 倍，已應用于智能攝像頭和無人機避障系統，相關芯片出貨量突破百萬片。無掩模激光光刻 (MLL) 是一種微加工技術，用于在基板上以高精度和高分辨率創建復雜圖案。一個新加坡研究團隊通過無縫集成硬件和軟件組件，開發出一款緊湊且經濟高效的 MLL 系統。通過與計算機輔助設計軟件無縫集成，操作員可以輕松輸入任意圖案進行曝光。該系統占用空間小，非常適合研究實驗室，并broad應用于微流體、電子學和納/微機械系統等各個領域。該系統的經濟高效性使其優勢擴展到大學研究實驗室以外的領域，為半導體和醫療公司提供了利用其功能的機會。江蘇德國BEAM光刻機基材厚度可達到0.1毫米至8毫米