大尺寸晶圓的高效處理：Polos-BESM XL的優勢！Polos-BESM XL Mk2專為6英寸晶圓設計，寫入區域達155×155 mm，平臺重復性精度0.1 μm，滿足工業級需求。搭配20x/0.75 NA尼康物鏡和120 FPS高清攝像頭，實時觀測與多層對準功能使其成為光子晶體和柔性電子器件研究的理想工具。其BEAM Xplorer軟件簡化復雜圖案設計，內置高性能筆記本實現快速數據處理62。無掩模激光光刻 (MLL) 是一種微加工技術，用于在基板上以高精度和高分辨率創建復雜圖案。一個新加坡研究團隊通過無縫集成硬件和軟件組件，開發出一款緊湊且經濟高效的 MLL 系統。通過與計算機輔助設計軟件無縫集成，操作員可以輕松輸入任意圖案進行曝光。該系統占用空間小，非常適合研究實驗室，并broad應用于微流體、電子學和納/微機械系統等各個領域。該系統的經濟高效性使其優勢擴展到大學研究實驗室以外的領域，為半導體和醫療公司提供了利用其功能的機會。光學超材料突破：光子晶體結構precise制造，賦能超透鏡與隱身技術研究。北京德國BEAM光刻機MAX層厚可達到10微米

在制備用于柔性顯示的納米壓印模板時，Polos 光刻機的亞微米級定位精度（±50nm）確保了圖案的均勻復制。某光電實驗室使用該設備，在石英基底上刻制出周期 100nm 的柱透鏡陣列，模板的圖案保真度達 99.8%，邊緣缺陷率低于 0.1%。基于此模板生產的柔性 OLED 背光模組，亮度均勻性提升至 98%，厚度減至 50μm，成功應用于下一代折疊屏手機，相關技術已授權給三家面板制造商。無掩模激光光刻 (MLL) 是一種微加工技術，用于在基板上以高精度和高分辨率創建復雜圖案。一個新加坡研究團隊通過無縫集成硬件和軟件組件，開發出一款緊湊且經濟高效的 MLL 系統。通過與計算機輔助設計軟件無縫集成，操作員可以輕松輸入任意圖案進行曝光。該系統占用空間小，非常適合研究實驗室，并broad應用于微流體、電子學和納/微機械系統等各個領域。該系統的經濟高效性使其優勢擴展到大學研究實驗室以外的領域，為半導體和醫療公司提供了利用其功能的機會。陜西POLOSBEAM光刻機可以自動聚焦波長電子學應用：2μm 線寬光刻能力，第三代半導體器件研發效率提升 3 倍。

低成本桌面化光刻：SPS POLOS μ的科研普惠！Polos系列在微流體領域實現復雜3D流道結構的快速成型。例如，中科院理化所利用類似技術制備跨尺度微盤陣列，研究細胞浸潤行為，為組織工程提供新策略3。Polos的高精度與靈活性支持仿生結構批量生產，推動醫療診斷芯片研發，如tumor篩查與藥物遞送系統的微型化64。無掩模激光光刻 (MLL) 是一種微加工技術，用于在基板上以高精度和高分辨率創建復雜圖案。一個新加坡研究團隊通過無縫集成硬件和軟件組件，開發出一款緊湊且經濟高效的 MLL 系統。通過與計算機輔助設計軟件無縫集成，操作員可以輕松輸入任意圖案進行曝光。該系統占用空間小，非常適合研究實驗室，并broad應用于微流體、電子學和納/微機械系統等各個領域。該系統的經濟高效性使其優勢擴展到大學研究實驗室以外的領域，為半導體和醫療公司提供了利用其功能的機會。

Polos-BESM在電子器件原型開發中展現高效性。例如，其軟件支持GDS文件直接導入，多層曝光疊加功能簡化了射頻器件（如IDC電容器）的制造流程。研究團隊利用同類設備成功制備了高頻電路元件，驗證了其在5G通信和物聯網硬件中的潛力。無掩模光刻技術可以隨意進行納米級圖案化，無需使用速度慢且昂貴的光罩。這種便利對于科研和快速原型制作非常有用。POL0S@ Beam XL在性能上沒有任何妥協的情況下，將該技術帶到了桌面上，進一步提升了其優勢。無掩模光刻技術可以隨意進行納米級圖案化，無需使用速度慢且昂貴的光罩。這種便利對于科研和快速原型制作非常有用。POL0S@ Beam XL在性能上沒有任何妥協的情況下，將該技術帶到了桌面上，進一步提升了其優勢。技術Benchmark：Polos-μPrinter 入選《半導體技術》年度創新產品，推動無掩模光刻技術普及。

單細胞分選需要復雜的流體動力學控制結構，傳統光刻難以實現多尺度結構集成。Polos 光刻機的分層曝光功能，在同一片芯片上制備出 5μm 窄縫的細胞捕獲區與 50μm 寬的廢液通道，通道高度誤差控制在 ±2% 以內。某細胞生物學實驗室利用該芯片，將單細胞分選通量提升至 1000 個 / 秒，分選純度達 98%，較傳統流式細胞儀體積縮小 90%。該技術已應用于循環tumor細胞檢測，使稀有細胞捕獲效率提升 3 倍，相關設備進入臨床驗證階段。無掩模激光光刻 (MLL) 是一種微加工技術，用于在基板上以高精度和高分辨率創建復雜圖案。一個新加坡研究團隊通過無縫集成硬件和軟件組件，開發出一款緊湊且經濟高效的 MLL 系統。通過與計算機輔助設計軟件無縫集成，操作員可以輕松輸入任意圖案進行曝光。該系統占用空間小，非常適合研究實驗室，并broad應用于微流體、電子學和納/微機械系統等各個領域。該系統的經濟高效性使其優勢擴展到大學研究實驗室以外的領域，為半導體和醫療公司提供了利用其功能的機會。Polos-BESM XL：130mm×130mm 曝光幅面，STL 模型直接導入，微流控芯片制備周期縮短 40%。陜西POLOSBEAM光刻機基材厚度可達到0.1毫米至8毫米

德國工藝：精密制造基因，10 年以上使用壽命，維護成本低，設備殘值率達 60%。北京德國BEAM光刻機MAX層厚可達到10微米

上海有機化學研究所通過光刻技術制備多組分納米纖維，實現了功能材料的精確組裝。類似地，Polos系列設備可支持此類結構的可控加工，為新能源器件（如柔性電池）和智能材料提供技術基礎3。設備的高重復性（0.1 μm）確保了科研成果的可轉化性。掩模光刻技術可以隨意進行納米級圖案化，無需使用速度慢且昂貴的光罩。這種便利對于科研和快速原型制作非常有用。POL0S@ Beam XL在性能上沒有任何妥協的情況下，將該技術帶到了桌面上，進一步提升了其優勢。北京德國BEAM光刻機MAX層厚可達到10微米